Si823H3AD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录Si8271BBD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。Si823H4AD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。MCP14A1202T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP1403T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。Si82520CD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。L9369-TR
STMicroelectronics · 封装：LQFP-64
主要参数包括电源电压（最小值） 3.4 V、电源电压（最大值） 40 V、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 2 Driver、配置 Half-Bridge，采用 LQFP-64 封装。MD1712FG-G M931
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。Si82520BD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si82521BD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si82520AD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si82521AD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si82521CD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。MCP14A1201T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP14A1202T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP14E3T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。LTC1981ES5#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-5
主要参数包括技术 Si、高度 1 mm，采用 SOT-5 封装。LTC4449EDCB#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si，采用 DFN-8 封装。MCP14E9T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14E11T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。