TLE8881TNAKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 SP001030854 TLE8881TN。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TLE88812TNAKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 SP002245760 TLE8881-2TN。MCP14A0601T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 TDFN-8 封装。MCP14A1202T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。FAN3224TM1X-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SI8230BD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8230AD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MPQ1924HS-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。MCP14A0454T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。SIC531CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPak-22
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPak-22 封装。SIC534CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP4535-22L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP4535-22L 封装。MCP14A0602T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 Narrow 封装。MAX25615AUT/V+T
Maxim Integrated · 封装：SOT23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15.5 V、输出电流 7 A、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT23-6 封装。SI82398AD4-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82394CD4-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。FAD6263M1X
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-16 封装。SI82398CD4-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82394AD4-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82393CD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82395CD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。