MCP14A0305T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录MCP14A0153T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括技术 Si、高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 2 mm，采用 TDFN-8 封装。MIC4478YM-TR
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4478YM TR。MIC4480YM-TR
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4480YM TR。MIC4479YM-TR
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4479YM TR。DGD21844MS14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 1.8 A、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SO-14 封装。SI8261ACA-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 65 ns、工作电源电流 30 mA。SI8231AD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。SID1181K-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。MIC4478YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4478YME TR、单件重量 0.002998 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4480YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4480YME TR、单件重量 0.002998 oz，采用 SOIC-8 封装。LM5111-2MYX/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。2EDN8523GXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDN8523G SP001490800。LM5109ASDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：LLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 LLP-8 封装。SM74101SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 WSON-6 封装。RAA220002GNP#HA0
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-12
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电压 6～12 V、输出电流 3 A、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-12 封装。SI8261BBA-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 73 ns、工作电源电流 30 mA。SI8261BCA-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 79 ns、工作电源电流 30 mA。SI8235AB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。NCP302035MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。