芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

MCP14E4T-E/MF

Microchip Technology · 封装：DFN-S-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。

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ADUM4122BRIZ-RL

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.5～35 V、输出电流 2 A、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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MCP14E5T-E/MF

Microchip Technology · 封装：DFN-S-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。

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SI8283BC-ISR

Silicon Labs · 封装：SOIC-24

主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。

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ISL6208CHRZ-TR5675

Renesas / Intersil

主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000388 oz。

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MP1921HR-A-LF-Z

Monolithic Power Systems (MPS)

主要参数包括技术 Si。

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SI8241BB-D-IS1R

Silicon Labs

主要参数包括技术 Si。

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MD1712K6-G M933

Microchip Technology

主要参数包括技术 Si、湿敏性是。

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LM25101ASDX/NOPB

Texas Instruments · 封装：WSON-10

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.12 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 WSON-10 封装。

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SI8261BBD-C-IMR

Silicon Labs · 封装：LGA-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 76 ns、工作电源电流 30 mA，采用 LGA-8 封装。

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LTC4444HMS8E-5#TRPBF

Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output，采用 MSOP-8 封装。

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ATA6833C-PLQW

Microchip Technology / Atmel

主要参数包括技术 Si。

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MLX83202KLW-DCA-000-RE

Melexis · 封装：QFN-32

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 4.5～28 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-32 封装。

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ISL2110AR4Z-T

Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12

主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 DFN-EP-12 封装。

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FDMF6707V

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 5.2 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。

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MD2133K7-G M932

Microchip Technology · 封装：QFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 5.8 V、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 Driver ICs - Various，采用 QFN-40 封装。

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SI8282CC-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-20

主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。

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SI8287CD-IS

Silicon Labs

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性是、单件重量 0.019612 oz。

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SI8287BD-IS

Silicon Labs

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性是、单件重量 0.019612 oz。

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SI8284CC-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-24

主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。