MCP14E8T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8271GBD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8271ABD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。MCP14A1201T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SI8274GB4D-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275GB-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。MP1924HR-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver。SI82392BB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI8273ABD-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI82391AB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI8275BBD-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8274AB1-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8274BB4D-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。Si823H9AC-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。SI8238BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。MCP14E10T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。MCP14E3T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。MP1921GQ-B-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-8 封装。MCP14E6T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。ADUM4122CRIZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 11.6～35 V、输出电流 2 A、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。