MP1921HN-A-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4479YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4479YME TR、单件重量 0.002998 oz，采用 SOIC-8 封装。SI8261ABA-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 62 ns、工作电源电流 30 mA。LM5114AMFX/S7003103
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。MP1924HS-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver。MCP14A0452T-E/RW
Microchip Technology · 封装：WDFN-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000600 oz，采用 WDFN-8 封装。MCP14A0451T-E/RW
Microchip Technology · 封装：WDFN-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000600 oz，采用 WDFN-8 封装。SI8285BC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI8285CC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。PCA9440HE-Q100Z
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935368333147。ISL6208IBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0304T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。SI8261ABC-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SOIC-8 封装。MIC4608YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-14 封装。FAN3224TUM1X-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0455T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。ISL6627IRZ-TK
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000776 oz。SI8261BAA-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 67 ns、工作电源电流 30 mA。SC1214TSTRT
Semtech · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 TSSOP-20 封装。MD2133K7-G
Microchip Technology · 封装：QFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 5.8 V、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 Driver ICs - Various，采用 QFN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。