MP1924AHR-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISL78434AVEZ-T
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。ZSPM9000Al1R
IDT · 封装：VFQFPN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 12 V、输出电压 5 V、输出电流 45 A、技术 Si，采用 VFQFPN-40 封装。SI8273BB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8275GBD-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8274AB4D-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8237AB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。SI8221CC-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100。LM5102MMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-10 封装。ATA6836C-TIQY-19
Microchip Technology · 封装：SO-28
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 6 Driver，采用 SO-28 封装。UCC21541DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 9.2～18 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 SOIC-16 封装。SI8235BA-D-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 6 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MCP14E11T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。ISL6622IBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 SOIC-8 封装。SI8233CB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 12.2～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。ISL6594ACRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 DFN-EP-10 封装。ISL6146AFRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 40 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。ISL6627IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、产品系列 ISL6627、高度 0.95 mm、长度 3 mm，采用 DFN-EP-10 封装。SI8261ACC-C-IPR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。SI8261AAC-C-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 30 mA，采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。