SI8232BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SC1211VXSTRT
Semtech · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.3 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SI8220CB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100。SI8234BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。SI8235AD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。SI82391AD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。SI82396BD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。SI82390CD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。SI82395BD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。SI82398BD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-16 封装。LM5114ASDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。ISL6594ACRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 DFN-EP-10 封装。MIC4607-2YTS-TR
Microchip Technology · 封装：TSSOP-28
主要参数包括技术 Si，采用 TSSOP-28 封装。SI8281BC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。MCP14E10T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14E6T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。SI8244CB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si823H5CB-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。ISL6615AIBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。SI82396CB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。