MP86981DU-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录L9857-LF
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100。ZXGD3001E6QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100，采用 SOT-23-6 封装。SI8230AB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MADR-010574-001SMB
MACOM
主要参数包括技术 Si。MCP14A0451T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。IRS2007MTRPBFAUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IRS2007MTRPBF SP005255458。SI8230BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MCP14A0153T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0154T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。SI8220BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100。SI8220CD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100。SI8232AB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。NCP81391AMNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 25 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-31 封装。LM5111-4MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MP86884DQKTE-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。SI8261AAD-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SDIP-6 封装。LM5110-3SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。SI8261ACC-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LM5101CMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。