MCP14A0154T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括技术 Si、高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 2 mm，采用 TDFN-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISL6622AIRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 DFN-EP-10 封装。MADR-011022-TR1000
MACOM · 封装：PQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 25 mA、技术 GaAs、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 TTL，采用 PQFN-16 封装。EMB1428QSQX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、逻辑类型 TTL、工作电源电流 750 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-48 封装。ISL6146CFRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 4.5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。MP86884DQKTE-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。ISL6611ACRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver，采用 QFN EP 封装。ISL6622IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 DFN-EP-10 封装。ISL6615AIRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。ISL6613BCRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。SI8234AB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。SI8233BB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。L9305EP
STMicroelectronics · 封装：$1.43
采用 $1.43 封装。SI8275AB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8273AB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。ISL6208CIRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 7 V、工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。HIP4082IBZTR5676
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.004938 oz。SI82398AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。MCP14A0052T-E/MAY
Microchip Technology · 封装：DFN-6
主要参数包括技术 Si，采用 DFN-6 封装。IX4424MTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。