MCP14E8T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8273ABD-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。MADR-009269-0001TR
MACOM · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。FAN7190MX_F085P
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP1406T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 DFN-S-8 封装。LM5111-1MYX/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。SI8237AD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。ISL6613BCRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。SI8220DD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100。MIC4608YM-T5
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。ATA6832C-PIQW
Microchip Technology / Atmel
主要参数包括技术 Si。ISL6615IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。HIP2101IR4ZT
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 DFN-EP-12 封装。ISL78444AVEZ
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。MIC4129YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4129YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。TC4469EOE713
Microchip Technology · 封装：MOSFET Gate Drivers
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、上升时间 25 ns，采用 MOSFET Gate Drivers 封装。HIP2105FRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-10 封装。ISL6611ACRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver，采用 QFN EP 封装。ISL6625ACRZ-TK
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.000388 oz。IXBH14N250A
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.229281 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。