ISL6615AIRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录HIP2106AIRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DFN-10 封装。DGD0636S28-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-28 封装。MCP14A0155T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.1 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm，采用 MSOP-8 封装。ISL6146CFRZ-TK
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 4.5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。ISL78434AVEZ
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。ISL78424AVEZ
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。MP6528GR-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 60 V、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 QFN-28 封装。LM5111-4MY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。SI8283BC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。UCC20225QNPLRQ1
Texas Instruments
Gate Drivers Isolated dual-channel gate driver with single input in LGA for automotive 48V systems 13-VLGA -40 to 125ISL6612AIBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP1405T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。MAX15024AATB/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 24 ns。ISL6625ACRZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.000388 oz。MCP14628T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。SI8261BAC-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 69 ns、工作电源电流 30 mA，采用 SOIC-8 封装。NCP81040MNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。ISL6609AIBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。ADUM4121-1TRIZ-EPR
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.5～35 V、输出电流 2.3 A、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。