SI82395AD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISL6594DCRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。MCP14A0155T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。DGD21032S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-8 封装。IXBH14N250
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.229281 oz。ISL6613AEIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。SI8241CB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.6 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、工作电源电流 2.5 mA，采用 SOIC-16 封装。ATA6844-PLQW
Microchip Technology / Atmel
主要参数包括技术 Si。ISL6605IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。MADR-011020-TR1000
MACOM · 封装：PQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 mA、技术 GaAs、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 TTL，采用 PQFN-16 封装。ISL6609AIRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。ISL6609IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。LM5104SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。ISL6614ACBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-14 封装。SI8234BB-D-IM1R
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。L9305EP-TR
STMicroelectronics
Gate DriversISL6614CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver，采用 QFN EP 封装。SI8234AB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。MP1907AGQ-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。MCP14E5T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。