ADUM4223WBRWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DGD21084S14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SO-14 封装。ADUM3221BRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。LM5114AMFX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。TC1410EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TPS2829DBVRG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。RE46C107S16TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MC10XS4200FKR2
NXP / Freescale · 封装：PQFN-23
主要参数包括工作电源电压 8～36 V、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是、型号别名 934070486578，采用 PQFN-23 封装。LM5101ASDX-1/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。ADUM4224WBRWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。ADUM3223CRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。UBA2036TS/N1,118
NXP Semiconductors
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 13.5 V、工作电源电压 12 V、输出电流 200 mA、技术 Si。ADUM3224WBRZ-RL7
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。MP8040DN-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。ISL2111AR4Z-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 DFN-EP-12 封装。MADRCC0006TR
MACOM
主要参数包括技术 Si。ZSPM9015ZI1R
IDT · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 25 V、工作电源电压 12 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。RE46C105S14TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-14 封装。MCP1404T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。SC1205CSTRT
Semtech · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。