芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

ADUM3223WARZ-RL7

Analog Devices · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。

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FDMF6821C

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。

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ADUM3220WARZ-RL7

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。

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ADP3650JRZ-RL

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 4.15～13.2 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。

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TC4426EMF713

Microchip Technology · 封装：DFN-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。

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IRS2336DJTRPBF

Infineon Technologies · 封装：PLCC-32

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。

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TC4426VOA713

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。

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MC34932SEKR2

NXP / Freescale · 封装：SOIC-54

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-54 封装。

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ADUM4121-1ARIZ-RL

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。

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ADUM3224WCRZ-RL7

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。

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LM5108DRCR

Texas Instruments · 封装：VSON-10

主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0 V、输出电流 2.6 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VSON-10 封装。

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SI8285BC-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。

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ADUM4120CRIZ-RL

Analog Devices · 封装：SOIC-6

主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 11.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。

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DGD0507AFN-7

Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 W-DFN3030-10 封装。

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IR2128PBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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IR2235SPbF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-28

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。

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IR21368SPbF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-28

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。

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ADUM4120-1BRIZ-RL

Analog Devices · 封装：SOIC-6

主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。

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ADUM3224WARZ-RL7

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。

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LM5101AMRX/NOPB

Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。