TPL9202PWPG4
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-20 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录TPIC46L01DBRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-28
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver，采用 SSOP-28 封装。UCC37324DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC27425DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPIC44L02DBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.059966 oz，采用 SSOP-24 封装。TPS51604QDSGTQ1
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、特性 Dead Time Control, Single Supply, Synchronous Rectification，采用 WSON-8 封装。ADP3650JCPZ-RL
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 4.15～13.2 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver，采用 LFCSP-8 封装。UCC27200ADRCR
Texas Instruments · 封装：VSON-9
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-9 封装。MAX15012CASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting。ISL89164FRTAZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。ADUM4120-1ARIZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 4.4 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。ADP3631ARZ-R7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。LM5101BMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADUM4223CRWZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.4 mA，采用 SOIC-16 封装。ADUM7223CCCZ-RL7
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。ADUM4136BRWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。IRS21094STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。TC1411EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。DS3680DE4
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括工作电源电压 - 10 V to - 60 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、产品 Relay Drivers、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-14 封装。ADUM3221WBRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。