ADUM4120-1CRIZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 11.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ADUM4223WARWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。ADUM3223WBRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。TC4429EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。ADUM3123BRZ-RL7
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。TC1412NEOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TPIC44L02DBRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.059966 oz，采用 SSOP-24 封装。ADUM4121-1CRIZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。ADP3635ARHZ-RL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。UCC27200DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2834DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。MPQ18021HS-A-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。L6569D013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。SN75372PSRE4
Texas Instruments · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 24 V、工作电源电压 5 V, 20 V、输出电压 24 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 SO-8 封装。ADUM4223WARWZ
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。TPS2830PWPG4
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。ADP3631ARMZ-R7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。UCC37324DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPIC44H01DAG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、湿敏性 是，采用 TSSOP-32 封装。LM25101CMYE/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.28 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。