UCC37325DGNRG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM25101BSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.16 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 WSON-10 封装。ADP3634ARDZ-R7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27222PWPG4
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 3.7～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。IX4424NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4422AZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。IR2235PbF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PDIP-28 封装。ATA6838C-PXQW
Microchip Technology · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 40 V、输出电压 40 V、输出电流 950 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 QFN-24 封装。UCC27210DPRR
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。DRV591VFPG4
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.006300 oz，采用 HLQFP-32 封装。ADUM4121BRIZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。UCC27200ADDAR
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。ADP3633ARDZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC37322DGNRG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC1411VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。UCC27200ADRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。LM25101ASDX-1/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.12 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 WSON-8 封装。MP8042DF-LF
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 TSSOP-20 封装。LM25101BSDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.16 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 WSON-10 封装。ADUM4120BRIZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。