ISL6208BIRZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000388 oz。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录LM25101CMYX/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.28 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TPIC2603DWRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Integrated Power Controller，采用 SOIC-24 封装。ADUM3221TRZ-EP-RL7
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。ADUM4121-1BRIZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。ADUM4121ARIZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。TPS2837DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UC2714DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UC3707NG4
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。UC3710DWG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。UC3706NG4
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。UCC27324DGNG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TPIC44L02DBG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.059966 oz，采用 SSOP-24 封装。TPS2814DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MPQ8039GN-AEC1
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8E
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 2.5 uA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8E 封装。ADUM4224WARWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。UCC27322DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADP3635ARDZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS2819DBVRG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。UCC27425PE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。