IR2102PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UC2708DWTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-16 封装。TPIC2603DWG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-24 封装。LM5100BSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。UC3706DWG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。UCC27200ADRCT
Texas Instruments · 封装：VSON-9
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-9 封装。UCC27200AD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27200ADDA
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。UCC27424DGNG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TPIC46L01DBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-28
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver，采用 SSOP-28 封装。UCD7138DRSR
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是。NCV5701BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 - 5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。TC1411COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。RE46C108S8TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。MAX5063AASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。UC3708DWTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-16 封装。ADUM1234BRWZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 3 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。LM25101CSDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.28 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 WSON-10 封装。TC4452VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 DFN-S-8 封装。ISL6627CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、产品系列 ISL6627、高度 0.95 mm、长度 3 mm，采用 DFN-EP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。