MD1711K6-G M933
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISL6614ACRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 QFN EP 封装。MD1711K6-G-M933
Microchip Technology · 封装：VQFN-48
主要参数包括技术 Si，采用 VQFN-48 封装。ISL6612CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 DFN-EP-10 封装。MC06XS4200FK
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 934070522557、单件重量 0.034297 oz。MC20XS4200BFK
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070641557、单件重量 0.034297 oz。UC3715DTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 2 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADUM3220WBRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。UCC37322DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4429EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TPS2812DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4467COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。TC4428VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4428EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4428AVUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。ADUM3123CRZ-RL7
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。UCC27424DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IX4425NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。ADUM3221WBRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。ADP3634ARHZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。