TPS2829DBVTG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC21521ADWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 30 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-16 封装。TPS2813DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADP3625ARHZ-RL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。ADUM3223WCRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。TPS2836DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27321DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。MC20XS4200FK
NXP / Freescale · 封装：PQFN-23
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 58 V、工作电源电压 8～36 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PQFN-23 封装。IRS2336DJPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-44
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PLCC-44 封装。ADUM4223WCRWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。MPQ8039GN-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 24 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC28089DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 8～15 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C，采用 SOIC-8 封装。NCP81152MNTWG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。UC3709NG4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。ADUM4223WCRWZ
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。UCC27324DGNRG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC428COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27425DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2814DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC37324PE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。