FAN3228CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 6 V、输出电流 3 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27423DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。MP86885GQWT-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。ADP3624ARHZ-RL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。LM5100ASD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。UC3708DWG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-16 封装。TPS2818MDBVREPG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。UCC27324DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2811PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。TPS2828DBVRG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。TPIC2603DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Integrated Power Controller，采用 SOIC-24 封装。MADR-009190-000DIE
MACOM
主要参数包括技术 Si。TC4429VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。SN75372PE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 24 V、工作电源电压 5 V, 20 V、输出电压 24 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 PDIP-8 封装。TC1413NCOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC37322DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UC2705DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 5～40 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2831D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。MC33814AE
NXP / Freescale · 封装：LQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 4.5～36 V、输出电压 6.5 V、输出电流 - 5 mA、技术 Si，采用 LQFP-48 封装。TC1410NEPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。