LM5111-4M/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCD7201PWPG4
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。HIP2101IR4Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 9～14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-EP-12 封装。LM5100CMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27200QDDARQ1
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。UCC27323DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IXDD614SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、上升时间 25 ns，采用 SOIC-8 封装。ADUM4120ARIZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 4.4 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。TPS2828DBVTG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。MD1820K6-G
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括技术 Si，采用 VQFN-16 封装。TPS2835D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。DRV591VFPRG4
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.006300 oz，采用 HLQFP-32 封装。TPS28226D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5134AMF/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。MIC4423ZWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。TPS2814PE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。HIP2104FRAANZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、输出电压 4 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DFN-EP-12 封装。MP6528GR-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 60 V、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 QFN-28 封装。ISL6612ACBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。SM74104MAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。