UCC37322DGNG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27210DPRT
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。ADP3624ARHZ
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。ISL78420AVEZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.001905 oz。MPQ8039GN
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 24 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2837D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4421VAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 TO-220-5 封装。HIP4083ABZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ADUM3223ARZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。ISL6208IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 QFN EP 封装。ISL6620IRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。UC3708NG4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver，采用 PDIP-8 封装。TPS2833D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ZXGD3003E6QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100，采用 SOT-23-6 封装。LMG3410R070RWHR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 40 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 VQFN-32 封装。TC4425EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。ADUM3123ARZ-RL7
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。UCC27424DGNRG4
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TPIC44L02DB
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 1.2 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SSOP-24 封装。TPS2815D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。