TPS2813P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UC2705N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 5～40 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。ADUM4224WCRWZ-RL
Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。MC06XS4200BFK
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070505557、单件重量 0.034297 oz。NCV51511PDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2336SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。UCC27211DPRR
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。UCC27321DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27322MDREP
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5110-3SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。UC2709DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。TPIC46L01DB
Texas Instruments · 封装：SSOP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 2.5 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SSOP-28 封装。UCC27201ADPRT
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。TPS2834PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。UC2714D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。EL7222CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。TPS2811D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27325DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM25101CMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。HIP2103FRTAAZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、输出电压 4 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 TDFN-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。