MP6920DN-LF
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MP18021HN-A-LF
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8 EP
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 140 C、湿敏性 是，采用 SOIC-8 EP 封装。UCC27611DRVR
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。CSD95378BQ5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-12 封装。ADUM4121CRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电压 11.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。ADUM7234BRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 12～18 V、输出电流 1.5 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。ADUM4120ARIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 4.4 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。UC3714D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 1 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADUM4224WARWZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.4 mA、耗散功率（Pd） 1.64 W，采用 SOIC-16 封装。IXDD609YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 TO-263-5 封装。ISL95808IRZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000388 oz。UCC27424QDGNRQ1
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。MP1921HS-A-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。ISO5852SMDWREP
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 110 ns、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-16 封装。UC2707NG4
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。EL7232CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS2829DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。CSD96371Q5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-22
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-22 封装。MP1907GQ-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。UCC27210DDA
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。