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电源管理与驱动

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型号列表

134,686 条型号记录
每页 20 条

VNQ600APTR-E

STMicroelectronics

主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、工作电源电压 13 V、输出电流 15 A、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver。

AUIPS2031RTRL

Infineon / IR · 封装:DPAK-3

主要参数包括输出电流 2.3 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率(Pd) 2.5 W、最小工作温度 - 40 C,采用 DPAK-3 封装。

LM5101MX/NOPB

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 1.8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。

VNQ6004SATR-E

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100。

SM72482MA-4/NOPB

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3.5 V、电源电压(最大值) 14 V、工作电源电压 3.5~14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

1ED020I12FXUMA2

Infineon Technologies · 封装:SOIC-16

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting,采用 SOIC-16 封装。

SIC772CD-T1-GE3

Vishay / Siliconix · 封装:MLP-66-40

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 24 V、输出电压 5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 MLP-66-40 封装。

AUIPS7141RTRL

Infineon / IR · 封装:DPAK-5

主要参数包括输出电流 2.1 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率(Pd) 2.5 W,采用 DPAK-5 封装。

LM5110-1SD

Texas Instruments · 封装:WSON-10

主要参数包括电源电压(最小值) 3.5 V、电源电压(最大值) 14 V、工作电源电压 3.5~14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 WSON-10 封装。

LM5104M

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 14 V、工作电源电压 7.5~14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

LM5109BMA

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 14 V、工作电源电压 7.5~14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

LM27222M

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 6.85 V、工作电源电压 4~6.85 V、输出电流 4.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

MP1921HN-A-LF

Monolithic Power Systems (MPS)

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。

AUIPS7142GTR

Infineon / IR · 封装:SOIC-16

主要参数包括输出电流 1.5 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 2 Output、耗散功率(Pd) 3 W、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-16 封装。

MP1924AHS-LF

Monolithic Power Systems (MPS)

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。

MP1921HS-A-LF

Monolithic Power Systems (MPS)

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。

ZSPM9010ZA1R

IDT · 封装:PQFN-40

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 PQFN-40 封装。

MPQ1924HS-LF

Monolithic Power Systems (MPS)

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。

LM5110-3SD

Texas Instruments · 封装:WSON-10

主要参数包括电源电压(最小值) 3.5 V、电源电压(最大值) 14 V、工作电源电压 3.5~14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 WSON-10 封装。

1EDI2001ASXUMA2

Infineon Technologies · 封装:SOIC-36

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI2001AS SP001361862,采用 SOIC-36 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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