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电源管理与驱动

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134,686 条型号记录
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SID1181K

Power Integrations · 封装:eSOP-R16B

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、输出电流 8 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 eSOP-R16B 封装。

LTC4441ES8-1#PBF

Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8

主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。

SID1151K

Power Integrations · 封装:eSOP-R16B

主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、输出电流 5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 eSOP-R16B 封装。

LTC1623CS8#PBF

Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8

主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。

Si823H4CB-IS1

Silicon Labs

主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。

Si823H8CB-IS1

Silicon Labs

主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。

Si823H1CB-IS1

Silicon Labs

主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。

Si823H3AB-IS1

Silicon Labs

主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。

Si823H6CB-IS1

Silicon Labs

主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。

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