MP18021HQ-A-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MP1924HS-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MP1924AHS-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SIC521ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-4525-22L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-4525-22L 封装。MP1921HS-A-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14E5-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。VOD3120AB-VT2
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 SMD-8 封装。MCP14E7-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.007055 oz，采用 DFN-S-8 封装。DGD0636MS28-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-28 封装。MP18021HN-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8E
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8E 封装。MP1921HN-A-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8E
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8E 封装。MP18021HN-A-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8E
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8E 封装。VOD3120AB-T2
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 SMD-8 封装。Si823H7AD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。LTC4444HMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。Si82520BD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。LTC7004EMSE#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。Si82521AD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si82520AD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si82521CD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。