MCP14E8-E/MF
Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DFN-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DFN-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 30 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DFN-8 封装。Silicon Labs
Gate DriversSilicon Labs
主要参数包括电源电压(最小值) 6.5 V、电源电压(最大值) 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver。Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 DrMOS VRPower。Diodes Incorporated · 封装:TSOT-25-5
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 18 V、输出电流 1.9 A、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 TSOT-25-5 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 TDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 TDFN-8 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 10~16 V、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-16 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 16 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8N
主要参数包括电源电压(最小值) 7.5 V、电源电压(最大值) 25 V、输出电流 4.25 A、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 SOIC-8N 封装。Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5~24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。