SI8232DB-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 4.5~5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns、下降时间 20 ns。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 4.5~5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns、下降时间 20 ns。Microchip Technology · 封装:DFN-S-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 DFN-S-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DFN-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:U-DFN3030-10
主要参数包括电源电压(最小值) 4.7 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 14 V、输出电流 2.5 A、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 U-DFN3030-10 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.029383 oz,采用 PDIP-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟(最大值) 61 ns、工作电源电流 30 mA。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 TDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 TDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS,采用 MSOP-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 12.8~24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 SOIC-Wide-16 封装。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。