MC20XS4200BFKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070641578、单件重量 0.034297 oz。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI82391BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 10～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。TBD62308AFAG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-24
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 4 Output、耗散功率（Pd） 1.4 W，采用 SSOP-24 封装。SI82391AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。ISL6146EFUZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000882 oz。Si823H4AB-IS1
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。TC1411VUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0455-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。SI8261BCA-C-IS
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 78 ns、工作电源电流 30 mA。Si823H6BD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si823H2CD-IS3
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si823H5CB-IS1
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。ISL6146EFRZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.000776 oz。Si823H2AB-IS1
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。Si823H8AB-IS1
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。SI82393CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI823H9BD-IS4
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。SCP302045MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。MP1921HQ-A-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。Si823H9AC-IS
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。