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电源管理与驱动

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SID1112K-TL

Power Integrations · 封装：eSOP-R16B

主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。
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TC1410NEOA713

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。
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SIC645ALR-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、商品名称 DrMOS VRPower。
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SI8275BB-IS1

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。
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IR3535MTRPBF

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001531252。
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MCP14A0304T-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。
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DGD05463M10-13

Diodes Incorporated · 封装：MSOP-10

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电压 50 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 MSOP-10 封装。
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IX4340UETR

IXYS · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。
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MCP14A0452T-E/MS

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。
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MCP14A0304T-E/MS

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。
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DGD23892S28-13

Diodes Incorporated · 封装：SO-28

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-28 封装。
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SI8261ABD-C-ISR

Silicon Labs · 封装：SDIP-6

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SDIP-6 封装。
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MIC4100YM-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8

主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、型号别名 MIC4100YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
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MCP1405-E/SO

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。
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DGD0590FU-7

Diodes Incorporated · 封装：V-QFN3030-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 50 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 V-QFN3030-8 封装。
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IRS2108PBF

Infineon / IR · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。
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SIC634CD-T1-GE3

Vishay / Siliconix · 封装：PowerPAK MLP55-31L

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerPAK MLP55-31L 封装。
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SI8221DC-D-IS

Silicon Labs

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。
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