LM5101ASDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27282DRCR
Texas Instruments · 封装：VSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0.13 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL，采用 VSON-10 封装。NCV7518MWATXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。SI8273DB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。IRS44262STRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001548952。MCP14A0602T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 TDFN-8 封装。TC1413EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。L6399D
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 - 11 V to 580 V、输出电流 430 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。TC1413COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IR3557MTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001525116。IR2166STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 10～25 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Photo-Flash Drivers，采用 SOIC-16 封装。FDMF301155
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。ADUM4137WBRNZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5 V、输出电流 6 A、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-28 封装。VND5E050MCJTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。SI8274BB4D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。LM5106SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.6～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。TC4431COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-14 封装。SI8275AB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SIC781CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。