MC06XS4200FKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 934070522578、单件重量 0.034297 oz。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MC10XS4200BAFKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070607578、单件重量 0.034297 oz。MCP14700T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。TC1410NEUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MIC4223YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4223YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。IR21368STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 6 Driver，采用 SOIC-28 封装。TC4626EOE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。TC4405COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。TC4426AVUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MCP14E7T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MD1716K6-G
Microchip Technology · 封装：VQFN-40
主要参数包括技术 Si，采用 VQFN-40 封装。MP8042DF-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。SI8238BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。RE46C119S16TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-16 封装。TC1412NEUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MP1921HQ-A-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。L9374LF
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 5.2 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 1.8 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 PowerSO-36 封装。MC33813AER2
NXP / Freescale · 封装：LQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 4.5～36 V、输出电压 6.5 V、输出电流 - 5 mA、技术 Si，采用 LQFP-48 封装。VND5E012MYTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 74 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-36 封装。SI8234BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。