MAX17602ASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17602。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IRS2817DSPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。VND5E012AYTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。TC4425AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。MIC4124YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4124YML TR，采用 MLF-8 封装。VND5E050MCKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。FDMF5826DC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 60 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PQFN-31 封装。TPIC46L02DBRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-28
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver，采用 SSOP-28 封装。IRS21814PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。SC1405DITSTRT
Semtech · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TSSOP-14 封装。TC4426AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。MIC4126YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4126YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。IR2133JTRPBF
Infineon / IR · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。MC34932EKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315126518、单件重量 0.027022 oz。NCV7520FPR2G
ON Semiconductor · 封装：TQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 3.3 V, 5 V、输出电流 26.25 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 TQFP-32 封装。NCV7517BFTR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.006176 oz。IRS23365DMTRPBF
Infineon Technologies · 封装：MLPQ-40
主要参数包括技术 Si、高度 0.9 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、型号别名 SP001535088，采用 MLPQ-40 封装。UCC27222PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 3.7～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。VND5T100LASTR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100，采用 SO-16 封装。TC4427EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。