MIC4425ZWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4425ZWM TR、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCP81061MNTWG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。IR2130JTRPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。MAX15013CASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting。IR2233STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。AUIPS72211RTRL
Infineon / IR · 封装：DPAK-5
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 0.8 us、下降时间 0.4 us、工作电源电流 5 uA，采用 DPAK-5 封装。ISL6620CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。NCP302055MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。TC4404COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。TC4403CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。TC4427AVUA713
Microchip Technology
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。IR2131PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 160 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-28 封装。L9374TRLF
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。TC4427VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。IR2235STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 15 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-28 封装。IR2114SSTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 SSOP-24 封装。EL7457CUZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：QSOP-16
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 QSOP-16 封装。MC34931EKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935311557518、单件重量 0.017080 oz。DGD2118S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SO-8 封装。TC4424VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。