ISL89164FBEBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-EP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4427AEMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。RE46C109E16F
Microchip Technology · 封装：PDIP-16
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.058802 oz，采用 PDIP-16 封装。RE46C109S16F
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 12 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Piezoelectric Horn Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-16 封装。UCD7232RTJT
Texas Instruments · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.7～15 V、输出电压 500 mV、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 QFN-20 封装。TC4425VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。MAX17605AUA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17605。TC4429VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。UCC27523DSDR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。LCS700LG
Power Integrations
主要参数包括技术 Si、商品名称 HiperLCS。MC34937APEKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323431518、单件重量 0.027776 oz。MD1715K6-G M935
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。TC4627COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。HIP4086AABZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-24
主要参数包括技术 Si、上升时间 40 ns、下降时间 20 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-24 封装。ISL6146CFRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 4.5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。ZL1505ALNFT1
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括技术 Si、上升时间 10.5 ns、下降时间 9.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、高度 1 mm，采用 DFN-EP-10 封装。NCP302155MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。TC4405EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。MIC4606-1YML-TR
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括技术 Si、高度 0.85 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm、型号别名 MIC4606-1YML-T5，采用 QFN-16 封装。TC4422EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。