TC4428AEMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4606-2YTS-T5
Microchip Technology · 封装：TSSOP-16
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。IXDI604SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。ZL1505ALNFT
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 1400 kHz、电源电压（最大值） 7.5 V、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 10.5 ns，采用 DFN-EP-10 封装。TC4421VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。ISL89400AR3Z-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 1 us，采用 DFN-EP-9 封装。UCC27323DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC27325DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。MIC4425YWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4425YWM TR、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。SC1302DSTRT
Semtech · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 1.6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TC4423VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC1410EUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MIC4424ZWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MIC4223YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4223YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。TC4424EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。IR2131STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 160 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。EL7457CUZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.002822 oz。FDMF6824A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。ISL89164FBEAZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-EP-8 封装。ISL89165FBEBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。