NCP302045MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4422AZM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4422AZM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MAX17605ASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17605。TC1412COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4420VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。MP8049SDU-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。FDMF5821
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.004280 oz。MC06XS4200BFKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070505578、单件重量 0.034297 oz。MC10XS4200BFKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070604578、单件重量 0.034297 oz。UCC27200DDAR
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。LM25101AMRX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。IR2128STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MP86963DUT-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。ISL89163FRTAZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。ISL89163FBEAZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-EP-8 封装。ISL89165FRTBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 TDFN-EP-8 封装。ISL89164FRTAZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。TC1411NVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。MIC44F20YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC44F20YML TR，采用 MLF-8 封装。TC4423EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。