TC4423AVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MX6895BE
IXYS Integrated Circuits · 封装：$1.37
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 $1.37 封装。TC4404EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。ISL89401AR3Z-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 1 us，采用 DFN-EP-9 封装。EL7222CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。SI8231BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。ISL89410IBZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。SNCV5700DR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。IX3120GE
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si。SI8232BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。TC4422VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC1410COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX17600AUA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17600。MP18021HQ-A-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。L6571AD
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。UCC37323DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。SC1301BISKTRT
Semtech · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。IXDF602D2TR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 DFN-8 封装。ISL2101AABZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 SOIC-8 封装。EL7457CSZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.004938 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。