MAX628CSA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:TDFN-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 TDFN-EP-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-EP-8 封装。Texas Instruments · 封装:LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET,采用 LSON-CLIP-12 封装。Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。Texas Instruments · 封装:HTSSOP-14
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 15 V、工作电源电压 4.5~15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 HTSSOP-14 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、上升时间 6 ns,采用 QFN-16 封装。IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor · 封装:PQFN-31
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 PQFN-31 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4225YMME TR、单件重量 0.004938 oz,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、型号别名 MIC4101YM TR、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-16
主要参数包括技术 Si、高度 0.85 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm、型号别名 MIC4606-2YML TR,采用 QFN-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PQFN-56
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 32 A、技术 Si,采用 PQFN-56 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm,采用 SOIC-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压(最大值) 16.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。