UCD7242MRSJREP
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 2.2～18 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 VQFN-32 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UC3706DWTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。MIC44F18YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC44F18YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。EL7154CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。TPS2830PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。TC4451VMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 DFN-S-8 封装。MAX17604ATA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17604。TC4425AVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MP18021HN-A-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。TC4424AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。TC4423AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。RE46C109S16TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-16 封装。TC1413NEUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MIC4607-1YTS-TR
Microchip Technology · 封装：TSSOP-28
主要参数包括技术 Si，采用 TSSOP-28 封装。ISL2100AAR3Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 DFN-EP-9 封装。MIC4125YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4125YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。NCP81071CDR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。TC4421ESM713
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIJ-8 封装。ATA6823C-PHQW
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。UCC21540DWKR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 18 V、输出电流 73 mA、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。