IXDF604SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070549578、单件重量 0.034297 oz。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Maxim Integrated
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 14 V、工作电源电压 14 V、输出电压 12 V、输出电流 20 A、技术 Si。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 40 V、工作电源电压 20 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 30 V、工作电源电压 4.5~30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-28
主要参数包括技术 Si,采用 VQFN-28 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7.8 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 7.8~20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si,采用 VSON-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4123YML TR,采用 MLF-8 封装。Infineon Technologies · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 6~20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 PDIP-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4421AZM TR、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 SOIC-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 1400 kHz、电源电压(最大值) 7.5 V、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 10.5 ns,采用 DFN-EP-10 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、型号别名 MIC4103YM TR、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:DFN-EP-10
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 DFN-EP-10 封装。Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5~24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 DFN-8 封装。STMicroelectronics · 封装:PowerSSO-28
主要参数包括输出电流 190 mA、技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是,采用 PowerSSO-28 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。