MIC4125YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4125YML TR，采用 MLF-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27526DSDT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。MAX5063BASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。MIC4126YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4126YML TR，采用 MLF-8 封装。MAX628ESA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。IR3578MTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001523714。TC4626COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MAX8555AEUB+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 13.25 V、工作电源电压 13.25 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 3.3 mA，采用 UMAX-10 封装。EL7252CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。EL7232CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。EL7457CLZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 QFN EP 封装。SI8235BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。MIC4467ZWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4467ZWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。UCC21540DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 18 V、输出电流 73 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 SOIC-16 封装。UCC27210DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27200DRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。FDA217STR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、工作电源电流 5 mA，采用 SOIC-8 封装。ISL2100AAR3Z-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 DFN-EP-9 封装。ISL89412IBZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。TC4421AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 DFN-S-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。