IR21531PBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 DIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IXDF602SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。ISL55111IVZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TSSOP N
主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP N 封装。TPIC44L01DBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.059966 oz，采用 SSOP-24 封装。UCC37325DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。ISL2101AAR3Z-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 DFN-EP-9 封装。IRSM005-301MHTR
Infineon / IR · 封装：PQFN-27
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 CIPOS、型号别名 SP001540888、单件重量 0.076710 oz，采用 PQFN-27 封装。ISL6620ACRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。TPIC44H01DAR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.006071 oz，采用 TSSOP-32 封装。HIP2100IRZT
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。IR4426STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 3.3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2109PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4421AVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。MAX17604ASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17604。MAX17603ASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17603。IXDF602SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。TC4427VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4426AEMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC1410NCOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC24610DRBT
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 4.5～6.5 V、输出电压 4.5～5.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。