ISL2111BR4Z-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 8～14 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 DFN-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录ISL6594DCRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。NCP303150MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A, 80 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-39 封装。ISL89401ABZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 1 us，采用 SOIC-8 封装。NCP5369NMNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。EL7202CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。MAX15013AASA+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns，采用 SOIC-8 封装。IX4340N
IXYS · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。ISO2H823V25XUMA1
Infineon Technologies · 封装：QFN-70
主要参数包括技术 Si、商品名称 ISOFACE、型号别名 ISO2H823V2.5 SP001225470，采用 QFN-70 封装。EL7156CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。DRV591VFPR
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.006300 oz，采用 HLQFP-32 封装。IXDI614SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。ISL89165FRTBZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 TDFN-EP-8 封装。VN5010AKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。IXDF604SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IXDD609SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。ISL89401ABZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 1 us，采用 SOIC-8 封装。UCC24624DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.25 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电压 36 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。EL7158ISZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。EL7457CLZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.001517 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。