IXDN602SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录STGAP2SM
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers。FDMF6704V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-40
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电压 5.2 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-40 封装。LM5110-3M/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4605-1YMT-TR
Microchip Technology · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 1.9 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 TDFN-10 封装。TC426EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。SI8233AB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。ISL2111AR4Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 DFN-EP-12 封装。STDRIVE601
STMicroelectronics · 封装：SO-28
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 580 VDC、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SO-28 封装。LM5109BQNGTRQ1
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100。SIC779CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。UCC24636DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.6 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5～24 V、输出电流 50 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。DRV594VFP
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.006300 oz，采用 HLQFP-32 封装。UCC21530QDWKRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 58 mA、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。TC4432COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IXDI630MCI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 9 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。IX4340NETR
IXYS · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX5056AASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。MP86961DU-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。EL7457CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。