TC4423EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LMG5200MOFR
Texas Instruments · 封装：QFM-9
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFM-9 封装。TC4424MJA
Microchip Technology · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CERDIP-8 封装。FDA215STR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SMD-8
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 5 mA、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)，采用 SMD-8 封装。UCC21222QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-16 封装。ISL55110IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 70000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。IXDI609SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。IX4340NTR
IXYS · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UC2707N
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。1EDI2002ASXUMA2
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI2002AS SP001362894，采用 SOIC-36 封装。MIC4415YFT-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-4
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4415YFT TR，采用 QFN-4 封装。MAX5075AAUA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 10 ns。ISL2111ABZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 SOIC-8 封装。IR21571STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 10～25 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Photo-Flash Drivers，采用 SOIC-16 封装。STGAP2DM
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SO-16 封装。STGAP2SCM
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers。ISL55110IVZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TSSOP N
主要参数包括最大时钟频率 70000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 TSSOP N 封装。UCC21222DR
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 9.2～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOP-16 封装。TC4428VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FDMF3172
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-39 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。